Toshiba Memory e Western Digital festeggiano l’apertura dell’impianto Fab 6 e del centro di ricerca e sviluppo Memory a Yokkaichi, in Giappone
Toshiba Memory Corporation e Western Digital Corporation (NASDAQ:WDC) hanno celebrato oggi l’inaugurazione di un nuovo impianto all’avanguardia per la produzione di semiconduttori, Fab 6, e del centro di ricerca e sviluppo Memory R&D Center presso il centro di produzione di Yokkaichi, nella prefettura di Mie, in Giappone.
questo comunicato stampa include contenuti multimediali. Visualizzare l’intero comunicato qui: https://www.businesswire.com/news/home/20180919005320/it/
Fab 6 and Memory R&D Center, Yokkaichi Operations (Photo: Business Wire)
Toshiba Memory ha iniziato la costruzione di Fab 6, un impianto dedicato alla produzione di memoria flash 3D, nel febbraio 2017.
Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.
Vedi la versione originale su businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20180919005320/it/
Copyright Business Wire 2018Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisione pianificazione attività aziendali
[email protected]
oppure
Western Digital Corporation
Contatto per gli investitori:
T. Peter Andrew, +1-949-672-9655
[email protected]
[email protected]
Contatto per i media:
Jim Pascoe, +1-408-717-6999
[email protected]
Emi Hatano, +81-90-5765-9730
[email protected]
Permalink: http://www.businesswire.com/news/home/20180919005320/it/