Toshiba Memory Corporation annuncia la memoria flash 3D a 96 strati

La memoria BiCS FLASH™ di quarta generazione di Toshiba Memory Corporation vanta un maggior numero di strati e una capacità superiore

TOKYO, 28/06/2017 (informazione.it - comunicati stampa - scienza e tecnologia)

Toshiba Memory Corporation, leader a livello mondiale in soluzioni di memoria, ha annunciato in data odierna di aver sviluppato un campione prototipo di memoria flash BiCS FLASH™ tridimensionale (3D) a 96 strati con una struttura in stack^[1], con tecnologia di 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). Si programma il lancio dei campioni del nuovo prodotto a 96 strati, che è un dispositivo a 256 gigabit (32 gigabyte), nella seconda metà del 2017 e si pianificala produzione in massa per il 2018.

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