Pronti per la distribuzione di campioni della memoria flash 3D da 512 gigabit a 64 strati di Toshiba

-- La gamma si arricchisce con il chip BiCS FLASH™ dalla più grande capacità di memoria del mercato--
TOKYO, (informazione.it - comunicati stampa - scienza e tecnologia)

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) presenta oggi l’ultima novità della sua prestigiosa linea di memorie flash tridimensionali BiCS FLASH™ con struttura a celle impilate*1, un dispositivo a 64 strati con una capacità di ben 512 gigabit (64 gigabyte) con tecnologia di 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). Il nuovo dispositivo sarà utilizzato per varie applicazioni, tra cui le unità a stato solido (solid-state drive, SSD) per i mercati consumer e aziendale.

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