HEMT

Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde. L'HEMT sfrutta la formazione di elettroni ad alta mobilità elettronica presenti nella buca di potenziale, generata dall'eterogiunzione tra i due semiconduttori, ad esempio l'arseniuro di gallio e l'n-AlGaAs, al di sotto del livello di Fermi.
Questo strato di elettroni ad alta mobilità, formatosi al di sotto della giunzione, è detto strato 2deg ("2-dimensional-electron-gas", gas bidimensionale di elettroni), e costituisce il vero canale del dispositivo. La densità di elettroni nel canale 2deg dipende dalla tensione gate-source. Quando la regione n-AlGaAs non viene più mantenuta in completo svuotamento da questa tensione si forma un "MESFET parassita" che riduce notevolmente le prestazioni dell'HEMT, a causa dell'interazione elettrostatica fra gli elettroni nello strato 2deg e gli ioni di impurità superficiali dell' n-AlGaAs. (fonte: Wikipedia)
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