La piattaforma GaN di terza generazione (Gen III) di Transphorm risulta conforme ai requisiti per applicazioni automobilistiche

La seconda linea di transistor a effetto di campo (field-effect transistor, FET) al nitruro di gallio (GaN) conformi allo standard AEC-Q101 sono ora in grado di operare a 175°C

GOLETA, California, 26/02/2019 (informazione.it - comunicati stampa - energia)

Transphorm Inc. - leader nella progettazione e nella produzione di semiconduttori annoverati tra i più affidabili, nonché dei primi semiconduttori al nitruro di gallio (GaN) da 650 V conformi agli standard JEDEC e AEC-Q101 - ha annunciato oggi che la sua piattaforma GaN ad alta tensione di terza generazione conforme allo standard JEDEC ha superato i collaudi di resistenza ai sensi dello standard AEC-Q101 del Consiglio per componenti elettronici per il settore automobilistico (Automotive Electronics Council) per semiconduttori discreti di livello automobilistico. Trattasi della seconda linea di prodotti della società dichiarati idonei per applicazioni automobilistiche, che sono inoltre i più affidabili dato che la piattaforma GaN di terza generazione è risultata in grado di operare a 175°C nei collaudi di certificazione.

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