Transphorm consolida il proprio portafoglio di dispositivi al nitruro di gallio da 900 V aggiungendovi un secondo transistore a effetto di campo

I nuovi transistori a effetto di campo (field effect transistor, FET) al nitruro di gallio su silicio di terza generazione abilitano alimentatori industriali trifase di ampie dimensioni e convertitori per il settore automobilistico Transphorm Inc., leader nella progettazione e produzione di semiconduttori al nitruro di gallio (GaN) ad alta tensione esibenti il massimo livello di affidabilità, ha lanciato oggi il suo secondo FET da 900 V, il Gen III TP90H050WS, che andrà ad aggiungersi all’unica…

GOLETA, California, 25/06/2019 (informazione.it - comunicati stampa - information technology)

Transphorm Inc., leader nella progettazione e produzione di semiconduttori al nitruro di gallio (GaN) ad alta tensione esibenti il massimo livello di affidabilità, ha lanciato oggi il suo secondo FET da 900 V, il Gen III TP90H050WS, che andrà ad aggiungersi all’unica linea di prodotti al GaN da 900 V rinvenibile nel settore. Questi dispositivi abilitano ora sistemi industriali a trifase e impianti elettronici automobilistici a tensione più elevata per sfruttare la velocità, l’efficienza e la densità di potenza offerte dal GaN. Inoltre, la piattaforma del nuovo FET è basata sulla versione precedente a 650 V di Transphorm, la sola tecnologia al GaN ad alta tensione conforme agli standard JEDEC e AEC-Q101.

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