Transphorm distribuisce più di mezzo milione di dispositivi di alimentazione GaN per applicazioni a più kilowatt

Adozione crescente e aumento dell'affidabilità sul campo della piattaforma GaN della società Transphorm Inc., leader nella progettazione e nella produzione dei primi semiconduttori al nitruro di gallio (gallium nitride, GaN) da 650 V, conformi agli standard JEDEC e AEC-Q101 annoverati tra i più affidabili, ha comunicato di avere distribuito più di 500.000 transistor a effetto di campo (field effect transistor, FET) GaN ad alta tensione. La società ha raggiunto questo importante obiettivo mentre…

GOLETA, California, 07/11/2019 (informazione.it - comunicati stampa - scienza e tecnologia)

Transphorm Inc., leader nella progettazione e nella produzione dei primi semiconduttori al nitruro di gallio (gallium nitride, GaN) da 650 V, conformi agli standard JEDEC e AEC-Q101 annoverati tra i più affidabili, ha comunicato di avere distribuito più di 500.000 transistor a effetto di campo (field effect transistor, FET) GaN ad alta tensione. La società ha raggiunto questo importante obiettivo mentre continua l’adozione da parte dei clienti della sua piattaforma GaN di grande qualità e affidabilità.

Adozione di soluzioni GaN ad alta tensione

Clienti operanti in tutti i segmenti dei settori industriale, infrastrutturale, IT e dei giochi per PC hanno annunciato pubblicamente la produzione in corso di dispositivi realizzati con la tecnologia GaN di Transphorm.

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