Toshiba Memory Corporation sviluppa la prima memoria flash 3D al mondo con tecnologia TSV

Elevata velocità di trasferimento dati in entrata e in uscita, basso consumo energetico, ampia capacità

TOKYO, 11/07/2017 (informazione.it - comunicati stampa - scienza e tecnologia)

Toshiba Memory Corporation, leader a livello mondiale in soluzioni di memoria, ha annunciato in data odierna di aver sviluppato la prima^[1] memoria flash tridimensionale (3D)^[2] BiCS FLASH™ al mondo utilizzando la tecnologia Through Silicon Via (TSV)^[3] a 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). La distribuzione dei prototipi a fini di sviluppo è iniziata a giugno e il lancio dei campioni del prodotto è previsto per la seconda metà del 2017. Il prototipo di questo rivoluzionario dispositivo sarà esposto al Flash Memory Summit 2017, in programma a Santa Clara (California), negli Stati Uniti, dal 7 al 10 agosto.

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Toshiba Memory Corporation sviluppa la prima memoria flash 3D al mondo con tecnologia TSV

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

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