Transphorm spedisce più di 250.000 dispositivi di alimentazione al nitruro di gallio (GaN) a conferma della scalabilità per volumi elevati

Questo traguardo è un segno tangibile dell’aumento del tasso di adozione dei semiconduttori al nitruro di gallio ad alta tensione; una tendenza confermata dalla pubblicizzata partecipazione nel mercato di importanti leader del settore

GOLETA, California, 14/12/2018 (informazione.it - comunicati stampa - energia)

Transphorm Inc. - leader nella progettazione e nella produzione dei primi semiconduttori al nitruro di gallio (GaN) da 650 V conformi agli standard JEDEC e AEC-Q101 annoverati tra i più affidabili - ha comunicato di aver spedito più di 250 mila transistor a effetto di campo (field effect transistor, FET) GaN ad alta tensione. I dispositivi, che trovano impiego nelle applicazioni per la produzione di massa dei clienti, sono fabbricati dalla società presso la sua fonderia di wafer ad Aizu, Giappone.

Transphorm ha inoltre comunicato che la capacità installata di base annua di 15 milioni di parti della fonderia di wafer per il suo popolare prodotto equivalente da 50 mohm può essere facilmente scalata per far fronte a richieste di 2-5 volte superiori.

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