Kioxia ha dato inizio ai lavori per la costruzione di un nuovo impianto presso lo stabilimento di Yokkaichi a sostegno della produzione della memoria flash 3D di sesta generazione

Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha tenuto oggi la cerimonia di inaugurazione dei lavori per la costruzione dell’impianto all’avanguardia dedicato alla produzione di semiconduttori (Fab7) presso lo stabilimento di Yokkaichi, nella prefettura di Mie in Giappone. L’impianto sarà uno dei siti manifatturieri più avanzato al mondo, dedicato alla produzione della sua memoria flash 3D brevettata BiCS FLASH TM . Il completamento della prima fase di costruzione…
YOKKAICHI, Giappone, (informazione.it - comunicati stampa - servizi)

Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha tenuto oggi la cerimonia di inaugurazione dei lavori per la costruzione dell’impianto all’avanguardia dedicato alla produzione di semiconduttori (Fab7) presso lo stabilimento di Yokkaichi, nella prefettura di Mie in Giappone. L’impianto sarà uno dei siti manifatturieri più avanzato al mondo, dedicato alla produzione della sua memoria flash 3D brevettata BiCS FLASHTM. Il completamento della prima fase di costruzione è previsto per la primavera del 2022. La costruzione del nuovo impianto sarà articolata in due fasi, per garantire la produzione e la distribuzione costanti di prodotti di memoria flash all’avanguardia e soddisfare la continua domanda del mercato.

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Kioxia ha dato inizio ai lavori per la costruzione di un nuovo impianto presso lo stabilimento di Yokkaichi a sostegno della produzione della memoria flash 3D di sesta generazione

Artist's impression of Fab 7, Yokkaichi Plant (Graphic: Business Wire)

L’impianto Fab7 sarà dotato di una struttura antisismica e un design ecosostenibile che include le più moderne attrezzature per la produzione a risparmio energetico.

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